场效应管参数查询

场效应管参数查询

场效应管是一种半导体器件，主要分为结型场效应管（JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（MOSFET）两种类型。它们的主要参数包括漏极-源极间饱和电压（Vds）、漏极电流（Id）、栅极电压（Vgs）等。具体参数如下：‌

MOSFET的常见参数：例如IRF510型号的MOSFET，其Vds为100V，Id为5.6A，Vgs为-20V。JFET的常见参数：例如2N3819型号的JFET，其Vds为25V，Id为10mA，Vgs为-5V。其他重要参数：包括饱和漏极电流（IDSS）、截止漏极电流（IDSOFF）、漏极-源极饱和电压（VGS(TH)）、漏极-源极截止电压（VGS(OFF)）等静态参数，以及输入电容（CIS）、输出电容（COS）、开启延迟时间（td(ON)）、关闭延迟时间（td(OFF)）等动态参数。这些参数对于选择和应用场效应管至关重要，不同的应用场景需要不同的参数匹配。例如，高功率应用可能需要更高的Vds和Id，而高速开关应用则可能更关注td(ON)和td(OFF)。